是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-3P |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.83 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 4000 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 200 A | 最大漏源导通电阻: | 0.006 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTQ200N075T | IXYS |
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Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET | |
IXTQ200N10T | IXYS |
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TrenchMVTM Power MOSFET | |
IXTQ200N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTQ22N50P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET | |
IXTQ22N50P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTQ22N60P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXTQ22N60P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTQ23N60Q | IXYS |
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Power MOSFETs Q-Class | |
IXTQ240N055T | IXYS |
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TrenchMV Power MOSFET | |
IXTQ24N55Q | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |