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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 4000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 200 A | 最大漏源导通电阻： | 0.006 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTQ200N075T | IXYS |
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Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET |
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| IXTQ200N10T | IXYS |
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TrenchMVTM Power MOSFET |
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| IXTQ200N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTQ22N50P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET |
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| IXTQ22N50P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTQ22N60P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTQ22N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTQ23N60Q | IXYS |
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Power MOSFETs Q-Class |
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| IXTQ240N055T | IXYS |
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TrenchMV Power MOSFET |
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| IXTQ24N55Q | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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