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IXTQ22N60P

更新时间： 2024-11-20 14:56:31

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	381K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTQ22N60P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	22 A	最大漏源导通电阻：	0.35 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	66 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ22N60P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTQ 22N60P

IXTV 22N60P

IXTV 22N60PS

V_DSS

I_D25

R_DS

= 600

= 22

≤ 350 mΩ

(on)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-3P (IXTQ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

600

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Tranisent

(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

PLUS220 (IXTV)

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

400

PLUS220SMD (IXTV_S)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting torque

Mounting force

(TO-3P)

(PLUS 220)

1.13/10 Nm/lb.in.

D (TAB)

11...65/2.5...15

N/lb

Weight

TO-3P

5.0

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

PLUS220 & PLUS220SMD

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

600

Low package inductance

- easy to drive and to protect

3.0

5.5

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

Advantages

T_J= 125°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

350 mΩ

High power density

DS99250E(12/05)

12 3 4 5 6

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IXTQ24N55Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ250N075T	IXYS	获取价格	TrenchMV Power MOSFET
IXTQ26N50P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET
IXTQ26N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ26N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ26N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ26P20P	IXYS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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