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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 381K | |
描述 | ||
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台,以实现低导通电阻(Rdson)。 Polar标准MOS |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.76 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 1000 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (ID): | 22 A | 最大漏源导通电阻: | 0.35 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 66 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTQ23N60Q | IXYS |
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Power MOSFETs Q-Class | |
IXTQ240N055T | IXYS |
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TrenchMV Power MOSFET | |
IXTQ24N55Q | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTQ24N55Q | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTQ250N075T | IXYS |
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TrenchMV Power MOSFET | |
IXTQ26N50P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET | |
IXTQ26N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTQ26N60P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTQ26N60P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTQ26P20P | IXYS |
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P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |