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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXTQ240N055T
IXTQ240N055T PDF预览

IXTQ240N055T

更新时间： 2024-11-05 12:35:35
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
5页 210K
描述
TrenchMV Power MOSFET

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IXTQ240N055T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：240 A最大漏源导通电阻：0.0036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：650 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTQ240N055T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTH240N055T  
IXTQ240N055T  
VDSS = 55  
ID25 = 240  
RDS(on) ≤ 3.6 mΩ  
V
A
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-247 (IXTH)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
55  
55  
V
V
VGSM  
Transient  
20  
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25° C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
240  
75  
650  
A
A
A
G
(TAB)  
D
S
IAR  
EAS  
TC =25°C  
TC = 25° C  
25  
1.0  
A
J
TO-3P (IXTQ)  
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤175° C, RG = 5 Ω  
3
V/ns  
TC =25°C  
480  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-40 ... +175  
°C  
°C  
°C  
G
D
S
(TAB)  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
TAB = Drain  
Md  
Mounting torque  
1.13 / 10 Nm/lb.in.  
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
Weight  
TO-3P  
TO-247  
5.5  
6
g
g
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 ° C Operating Temperature  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25° C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
55  
V
V
ꢀ
ꢀ
2.0  
4.0  
VGS  
=
20 V, VDS = 0 V  
200  
nA  
Applications  
ꢀ
Automotive  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
250  
µA  
µA  
- Motor Drives  
- High Side Switch  
- 12VBattery  
TJ = 150° C  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Notes 1, 2  
2.7  
3.6 m Ω  
- ABS Systems  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary- Side Switch  
High Current Switching  
ꢀ
ꢀ
Applications  
DS99715 (11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
12345

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IXTQ240N055T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTP240N055T IXYS

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTA240N055T IXYS

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 Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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