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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | PLASTIC, TO-3P, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 8.51 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 26 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 26 A | 最大漏源导通电阻： | 0.17 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 70 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTA26P20P | IXYS |
功能相似  |
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTP26P20P | IXYS |
功能相似 |
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH26P20P | IXYS |
功能相似 |
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTQ30N50L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
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| IXTQ30N50L2 | IXYS |
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Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTQ30N50L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTQ30N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTQ30N60L2 | IXYS |
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Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA |
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| IXTQ30N60L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTQ30N60P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTQ30N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTQ32N65X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTQ32N65X | LITTELFUSE |
获取价格 |
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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