生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.67 |
其他特性: | AVALANCE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 2000 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 40 A |
最大漏极电流 (ID): | 40 A | 最大漏源导通电阻: | 0.17 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 540 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTQ40N50Q | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTQ42N25P | IXYS |
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PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTQ42N25P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTQ44N50P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET | |
IXTQ44N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTQ44P15T | IXYS |
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P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTQ44P15T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 | |
IXTQ450P2 | IXYS |
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Polar2TM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTQ450P2 | LITTELFUSE |
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Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTQ460P2 | IXYS |
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PolarP2⢠Power MOSFET |