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IXTQ460P2

更新时间： 2024-11-05 12:26:19

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6页	159K
描述
PolarP2â¢ Power MOSFET

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IXTQ460P2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	4.44
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	24 A
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	480 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Pure Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ460P2 数据手册

PolarP2^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 24A

R_DS(on)≤ 270mΩ

t_rr(typ)= 400ns

IXTA460P2

IXTP460P2

IXTQ460P2

IXTH460P2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-220AB (IXTP)

TO-263 AA (IXTA)

TO-3P (IXTQ)

D (Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

TO-247 (IXTH)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

480

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zAvalanche Rated

^zFast Intrinsic Diode

^zDynamic dv/dt Rated

^zLow Package Inductance

F_C

M_d

Mounting Force TO-263

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

Mounting Torque (TO-220, TO-3P & TO-247)

1.13 / 10

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

TO-247

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

4.5

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zDC-DC Converters

± 100 nA

I_DSS

25 μA

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

T_J= 125°C

250 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

270 mΩ

DS100216B(06/10)

12 3 4 5 6

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IXTQ460P2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ22N50P	IXYS	类似代替	PolarHVTM Power MOSFET
IXFQ24N50P2	IXYS	类似代替	PolarP2 HiperFET Power MOSFET
IXFH22N50P	IXYS	功能相似	Polar Power MOSFET HiPerFET

与IXTQ460P2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ470P2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 500V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ470P2	LITTELFUSE	获取价格	Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ480P2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ48N20T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ48N20T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ48N65X2M	LITTELFUSE	获取价格	超级结X2 34A/48A、650V、TO3P FP MOSFET 功能与特色: 应用:
IXTQ50N20P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ50N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ50N25T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ50N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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