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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXTH26P20P
IXTH26P20P PDF预览

IXTH26P20P

更新时间： 2024-11-05 12:02:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 190K
描述
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTH26P20P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.53Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：26 A
最大漏极电流 (ID)：26 A最大漏源导通电阻：0.17 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：70 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTH26P20P 数据手册

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Preliminary Technical Information  
PolarPTM  
Power MOSFET  
P-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
IXTA26P20P  
IXTH26P20P  
IXTP26P20P  
IXTQ26P20P  
TO-247 (IXTH)  
VDSS = - 200V  
ID25 = - 26A  
RDS(on)  
≤
170mΩ  
TO-220 (IXTP)  
TO-263 (IXTA)  
G
S
G
D(TAB)  
D(TAB)  
G
D
S
D(TAB)  
D
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-3P (IXTQ)  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
- 200  
- 200  
V
V
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
D
S
D(TAB)  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
- 26  
- 70  
A
A
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
IAR  
TC = 25°C  
- 26  
A
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
mJ  
J
1.5  
dV/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 175°C  
TC = 25°C  
10  
V/ns  
W
Features:  
300  
z International standard packages  
z Fast intrinsic diode  
z Dynamic dV/dt Rated  
z Avalanche Rated  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
z Rugged PolarPTM process  
z Low QG and Rds(on) characterization  
z Low Drain-to-Tab capacitance  
z Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s  
Plastic body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting torque  
(TO-3P,TO-220,TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-247  
TO-3P  
TO-220  
TO-263  
6.0  
5.5  
3.0  
2.5  
g
g
g
g
Applications:  
z
Hight side switching  
Push-pull amplifiers  
DC Choppers  
Current regulators  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Min. Typ. Max.  
z
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
z
Automatic test equipment  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = -250 μA  
VDS = VGS, ID = -250μA  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
- 200  
- 2.5  
V
Advantages:  
- 4.5  
V
±100 nA  
z
Low gate charge results in simple  
drive requirement  
Improved Gate, Avalanche and  
dynamic dV/dt ruggedness  
High power density  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0V  
- 10 μA  
- 250 μA  
z
TJ = 150°C  
z
RDS(on)  
VGS = -10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
170 mΩ  
z
Fast switching  
DS99913(10/07)  
© 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
123456

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IXTH26P20P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTA26P20P IXYS

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