IXTP26P20P

更新时间： 2024-11-05 12:02:55

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	190K
描述
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTP26P20P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.91	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	26 A
最大漏极电流 (ID)：	26 A	最大漏源导通电阻：	0.17 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	70 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTP26P20P 数据手册

Preliminary Technical Information

PolarP^TM

Power MOSFET

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

IXTA26P20P

IXTH26P20P

IXTP26P20P

IXTQ26P20P

TO-247 (IXTH)

V_DSS= - 200V

I_D25= - 26A

R_DS(on)

≤

170mΩ

TO-220 (IXTP)

TO-263 (IXTA)

D(TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-3P (IXTQ)

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

- 200

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

D(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

- 26

- 70

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

I_AR

T_C= 25°C

- 26

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

Features:

300

^zInternational standard packages

^zFast intrinsic diode

^zDynamic dV/dt Rated

^zAvalanche Rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

^zRugged PolarP^TMprocess

^zLow Q_Gand R_ds(on)characterization

^zLow Drain-to-Tab capacitance

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

(TO-3P,TO-220,TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-3P

TO-220

TO-263

6.0

5.5

3.0

2.5

Applications:

Hight side switching

Push-pull amplifiers

DC Choppers

Current regulators

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Automatic test equipment

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= -250 μA

V_DS= V_GS, I_D= -250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

- 200

- 2.5

Advantages:

- 4.5

±100 nA

Low gate charge results in simple

drive requirement

Improved Gate, Avalanche and

dynamic dV/dt ruggedness

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

- 10 μA

- 250 μA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

170 mΩ

Fast switching

DS99913(10/07)

12 3 4 5 6

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IXTP26P20P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA26P20P	IXYS	完全替代	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
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IXTQ26P20P	IXYS	功能相似	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXTP26P20P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP270N04T4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP270N04T4	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXTP28P065T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP28P065T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 65V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
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