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IXTQ40N50Q PDF预览

IXTQ40N50Q

更新时间： 2024-11-05 20:01:07
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
4页 555K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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IXTQ40N50Q 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.34其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：2 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.16 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTQ40N50Q 数据手册

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IXTQ 40N50Q  
VDSS  
ID25  
= 500 V  
= 40 A  
High Current  
Power MOSFET  
Q-Class  
RDS(on) = 0.16 Ω  
N-ChannelEnhancementMode  
Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt  
Data Sheet  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-3P(IXTQ)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
500  
500  
V
V
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
ID25  
IDM  
IAR  
TC = 25°C  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
40  
160  
40  
A
A
A
D
S
(TAB)  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
50  
mJ  
mJ  
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source TAB = Drain  
2.0  
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω  
,
5
V/ns  
Features  
PD  
TC = 25°C  
500  
W
z IXYS advanced low Qg process  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 to +150  
150  
-55 to +150  
°C  
°C  
°C  
z Low gate charge and capacitances  
- easier to drive  
- faster switching  
z International standard packages  
z Low RDS (on)  
TL  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
Mounting torque  
300  
°C  
z Rated for unclamped Inductive load  
switching (UIS) rated  
Md  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Weight  
6
g
z Molding epoxies meet UL 94 V-0  
flammability classification  
Advantages  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
z
Easy to mount  
Space savings  
min.  
typ.  
max.  
z
VDSS  
VGS(th)  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
500  
2.5  
V
V
z
High power density  
4.5  
IGSS  
IDSS  
VGS = 30 VDC, VDS = 0  
100  
nA  
VDS = V  
T
= 25°C  
25  
1
µA  
VGS = 0DVSS  
TJJ = 125°C  
mA  
RDS(on)  
V
= 10 V, ID = 0.5 ID25  
0.16  
Ω
PGuSlse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
© 2004 IXYS All rights reserved  
DS99056A(08/04)  
1234

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