Datasheet > IXTQ36P15P

IXTQ36P15P

更新时间： 2024-11-05 19:53:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
6页	168K
描述
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTQ36P15P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.51	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.11 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	90 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ36P15P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFETs

IXTA36P15P

IXTP36P15P

IXTQ36P15P

IXTH36P15P

V_DSS= - 150V

I_D25

= - 36A

R_DS(on)

≤ 110mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

TO-220AB (IXTP)

TO-3P (IXTQ)

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 150

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

D (Tab)

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

- 36

- 90

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

I_A

T_C= 25°C

- 36

1.5

E_AS

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

Features

300

^zInternational Standard Packages

^zRugged PolarP^TMProcess

^zAvalanche Rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

^zLow Package Inductance

^zFast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zDynamic dv/dt Rated

M_d

Mounting Torque (TO-3P,TO-220 & TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

Low R_DS(ON)and Q_G

F_C

Mounting Force (TO-263)

10..65/2.2..14.6

^zLow Drain-to-Tab Capacitance

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

TO-247

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

- 150

- 2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

- 4.5

±100 nA

I_DSS

-10 μA

- 250 μA

T_J= 125°C

Current Regulators

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

110 mΩ

DS99791D(01/13)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXTQ36P15P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ3N150M	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTQ40N50L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ40N50Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ42N25P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ42N25P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ44N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTQ44N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ44P15T	IXYS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ44P15T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTQ450P2	IXYS	获取价格	Polar2TM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXTQ36P15P相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTQ36P15P

IXTQ36P15P 技术参数

IXTQ36P15P 数据手册

与IXTQ36P15P相关器件

与IXTQ36P15P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTQ36P15P

IXTQ36P15P 技术参数

IXTQ36P15P 数据手册

与IXTQ36P15P相关器件

与IXTQ36P15P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？