IXTQ36N50P

更新时间： 2024-11-04 21:53:35

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IXTQ36N50P 数据手册

Advanced Technical Information

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTQ 36N50P

IXTT 36N50P

V_DSS

I_D25

= 500 V

= 36 A

R_DS(on)≤ 170 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-3P(IXTQ)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

D (TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

TO-268 (IXTT)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

100

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

P_D

T_C= 25°C

500

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body

300

250

°C

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-268

5.5

5.0

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

Easy to mount

Space savings

2.5

5.0

High power density

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

170 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99228(11/04)

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IXTQ36N50P 替代型号

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