IXTQ36N50P

更新时间： 2024-01-29 18:52:16

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	142K
描述
N-Channel Enhancement Mode

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTQ36N50P 数据手册

Advanced Technical Information

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTQ 36N50P

IXTT 36N50P

V_DSS

I_D25

= 500 V

= 36 A

R_DS(on)≤ 170 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-3P(IXTQ)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

D (TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

TO-268 (IXTT)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

100

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

P_D

T_C= 25°C

500

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body

300

250

°C

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-268

5.5

5.0

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

Easy to mount

Space savings

2.5

5.0

High power density

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

170 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99228(11/04)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXTQ36N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FQA24N60	ONSEMI	功能相似	功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600V，23.5A，240 mΩ，TO-3P
STW20NK50Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

与IXTQ36N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ36P15P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTQ36P15P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ3N150M	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTQ40N50L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ40N50Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ42N25P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ42N25P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ44N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTQ44N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ44P15T	IXYS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated