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IXTQ3N150M

更新时间： 2024-11-06 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		开关高压脉冲电源开关调节器
页数	文件大小	规格书
6页	509K
描述
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉冲电路和电流调节器。功能与特色: 应用: 优点:

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IXTQ3N150M 数据手册

High Voltage

Power MOSFET

V_DSS= 1500V

I_D25= 3A

IXTQ3N150M

R_DS(on) 7.3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

OVERMOLDED

(IXTQ...M)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1 M

1500

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

I_D25

I_DM

T_C= 25C, Limited by T_JM

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C= 25C

250

G = Gate

S = Source

D = Drain

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

Features

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

^Plastic Overmolded Tab for Electrical

Isolation

^Avalanche Rated

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

°C

^Fast Intrinsic Diode

^Low Package Inductance

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Advantages

^High Power Density

^Easy to Mount

^Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1500

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

5.0

Applications

I_GSS

I_DSS

V_GS= 30V, V_DS= 0V

100 nA

^High Voltage Power Supplies

^Capacitor Discharge Applications

^Pulse Circuits

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

10 A

100A

T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 1.5A, Note 1

7.3



DS100721A(5/21)

12 3 4 5 6

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