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IXTQ42N25P

更新时间： 2024-02-07 12:51:39

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5页	257K
描述
PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTQ42N25P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.34	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.084 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ42N25P 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTA 42N25P

IXTP 42N25P

IXTQ 42N25P

V_DSS= 250 V

I_D25= 42 A

R_DS(on)≤ 84 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

250

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

110

I_AR

T_C=25° C

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.0

TO-3P (IXTQ)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 10 Ω

V/ns

T_C=25° C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

M_d

Mounting torque

(TO-3P / TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-220

TO-263

5.5

Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

250

3.0

5.5

Advantages

100

Easy to mount

Space savings

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

High power density

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

84 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99157E(12/05)

12 3 4 5

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IXTQ42N25P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP42N25P	IXYS	功能相似	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA42N25P	IXYS	功能相似	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTQ44N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ44P15T	IXYS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ44P15T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTQ450P2	IXYS	获取价格	Polar2TM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ450P2	LITTELFUSE	获取价格	Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ460P2	IXYS	获取价格	PolarP2â¢ Power MOSFET
IXTQ460P2	LITTELFUSE	获取价格	Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ470P2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 500V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ470P2	LITTELFUSE	获取价格	Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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