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IXTQ60N20T

更新时间： 2024-11-19 14:56:31

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
5页	164K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTQ60N20T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
Base Number Matches：	1

IXTQ60N20T 数据手册

Trench^TM

Power MOSFET

V_DSS= 200V

I_D25= 60A

R_DS(on)≤ 40mΩ

IXTA60N20T

IXTP60N20T

IXTQ60N20T

TO-263 AA (IXTA)

N-Channel Enhancement Mode

For PDP Drivers

Avalanche Rated

D (Tab)

TO-220AB (IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

200

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

D (Tab)

TO-3P (IXTQ)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

150

I_A

T_C= 25°C

700

500

E_AS

P_D

D (Tab)

= Drain

= Gate

= Source

T_J

-55 ... +175

175

°C

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55 ... +175

Features

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

^zHigh Current Handling Capability

^z175°C Operating Temperature

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-220 &TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zFast Intrinsic Rectifier

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

Low R_DS(on)

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

200

3.0

Applications

5.0

±200 nA

μA

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

I_DSS

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 150°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

250 μA

40 mΩ

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

R_DS(on)

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS99359B(7/10)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ62N15P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTQ62N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ64N25	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTQ64N25P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTQ64N25P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ69N30	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTQ69N30P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTQ69N30P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ69N30PM	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ69N30PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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