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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 164K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.71 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTQ62N15P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET | |
IXTQ62N15P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTQ64N25 | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET | |
IXTQ64N25P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET | |
IXTQ64N25P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTQ69N30 | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET | |
IXTQ69N30P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET | |
IXTQ69N30P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTQ69N30PM | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTQ69N30PM | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |