生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-3P |
包装说明: | PLASTIC, TO-3P, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.76 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 500 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 60 A | 最大漏极电流 (ID): | 60 A |
最大漏源导通电阻: | 0.018 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 176 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 180 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTQ60N20L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTQ60N20L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTQ60N20T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated | |
IXTQ60N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTQ62N15P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET | |
IXTQ62N15P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTQ64N25 | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET | |
IXTQ64N25P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET | |
IXTQ64N25P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTQ69N30 | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET |