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IXTQ69N30PM

更新时间： 2024-02-29 05:44:45

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	143K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTQ69N30PM 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A	最大漏极电流 (ID)：	25 A
最大漏源导通电阻：	0.049 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	90 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ69N30PM 数据手册

Advance Technical Information

Polar^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 25A

R_DS(on)≤ 49mΩ

IXTQ69N30PM

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

OVERMOLDED

(IXTQ...M) OUTLINE

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1 MΩ

300

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

200

I_A

E_AS

T_C= 25°C

1.5

G = Gate

S = Source

D = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J=150°C

T_C= 25°C

V/ns

Features

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

^ꢀPlastic Overmolded Tab for Electrical

Isolation

^ꢀAvalanche Rated

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10 s

Plastic Body for 10 s

300

260

°C

^ꢀFast Intrinsic Diode

^ꢀLow Package Inductance

M_d

Mounting Torque

1.13/10

2.5

Nm/lb.in.

Weight

Advantages

^ꢀHigh Power Density

^ꢀEasy to Mount

^ꢀSpace Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

300

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

^ꢀSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

5.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

±100 nA

^ꢀDC-DC Converters

^ꢀLaser Drivers

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5 μA

100 μA

^ꢀAC and DC Motor Drives

^ꢀRobotics and Servo Controls

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 34.5A, Note 1

49 mΩ

DS100204(10/09)

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTQ74N20P	IXYS	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	获取价格
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IXTQ75N10P	LITTELFUSE	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡	获取价格
IXTQ76N25T	IXYS	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode	获取价格
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