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IXTR170P10P

更新时间： 2024-11-18 18:53:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	138K
描述
Power Field-Effect Transistor, 108A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PIN

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IXTR170P10P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	4.45
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	3500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	108 A
最大漏极电流 (ID)：	108 A	最大漏源导通电阻：	0.013 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	312 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	510 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTR170P10P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFET

V_DSS= -100V

I_D25= -100A

R_DS(on) 15.4m

IXTR170P10P

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

ISOPLUS247

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

-100

V_DGR

Isolated Tab

= Drain

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

-100

G = Gate

S = Source

- 510

I_A

T_C= 25C

-170

3.5

E_AS

Features

dV/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

^Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

312

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

- UL Recognized Package

- Isolated Mounting Surface

- 2500V Electrical Isolation

^Dynamic dv/dt Rating

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^High Current Handling Capability

^Avalanche Rated

V_ISOL

M_d

50/60 H_Z,RMS, t= 1min

Mounting Force

2500

20..120/4.5..27

N/lb.

^Fast Intrinsic Diode

^The Rugged PolarP^TMProcess

^Low Q_G

Weight

^Low Drain-to-Tab Capacitance

^Low Package Inductance

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250A

V_DS= V_GS, I_D= -1mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS,V_GS= 0V

-100

Applications

- 2.0

- 4.0



High-Side Switches

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

100 nA



I_DSS

- 50 A

- 250 A



T_J= 125C



Current Regulators

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= - 85A, Note 1

15.4 m

DS99976C(5/17)

12 3 4 5

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