Datasheet > IXTR170P10P

IXTR170P10P

更新时间： 2024-10-02 18:53:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	138K
描述
Power Field-Effect Transistor, 108A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTR170P10P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	4.45
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	3500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	108 A
最大漏极电流 (ID)：	108 A	最大漏源导通电阻：	0.013 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	312 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	510 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTR170P10P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFET

V_DSS= -100V

I_D25= -100A

R_DS(on) 15.4m

IXTR170P10P

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

ISOPLUS247

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

-100

V_DGR

Isolated Tab

= Drain

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

-100

G = Gate

S = Source

- 510

I_A

T_C= 25C

-170

3.5

E_AS

Features

dV/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

^Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

312

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

- UL Recognized Package

- Isolated Mounting Surface

- 2500V Electrical Isolation

^Dynamic dv/dt Rating

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^High Current Handling Capability

^Avalanche Rated

V_ISOL

M_d

50/60 H_Z,RMS, t= 1min

Mounting Force

2500

20..120/4.5..27

N/lb.

^Fast Intrinsic Diode

^The Rugged PolarP^TMProcess

^Low Q_G

Weight

^Low Drain-to-Tab Capacitance

^Low Package Inductance

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250A

V_DS= V_GS, I_D= -1mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS,V_GS= 0V

-100

Applications

- 2.0

- 4.0



High-Side Switches

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

100 nA



I_DSS

- 50 A

- 250 A



T_J= 125C



Current Regulators

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= - 85A, Note 1

15.4 m

DS99976C(5/17)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXTR170P10P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTR200N10P	IXYS	获取价格	PolarTM HiPerFET Power MOSFET
IXTR200N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTR20P50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTR210P10T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTR32P60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IXTR32P60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTR36P15P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTR36P15P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTR40P50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.26ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTR40P50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(

与IXTR170P10P相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

29
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTR170P10P

IXTR170P10P 技术参数

IXTR170P10P 数据手册

与IXTR170P10P相关器件

与IXTR170P10P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTR170P10P

IXTR170P10P 技术参数

IXTR170P10P 数据手册

与IXTR170P10P相关器件

与IXTR170P10P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？