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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-247AD | 包装说明： | ISOPLUS247, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 8.55 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22 A | 最大漏源导通电阻： | 0.12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTR40P50P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.26ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTR40P50P | LITTELFUSE |
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Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻( |
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| IXTR48P20P | IXYS |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTR48P20P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻( |
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| IXTR62N15P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTR68P20T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
|
| IXTR6N40A | LITTELFUSE |
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Transistor |
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| IXTR90P10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTR90P20P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 200V, 0.048ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IXTR90P20P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
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