5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | PLASTIC, TO-268HV, 2 PIN | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 7.99 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 4500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 625 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 113 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 0.6 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTT100N25P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTT100N25P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
|
| IXTT10N100D | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTT10N100D | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTT10N100D2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTT10N100D2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTT10P50 | IXYS |
获取价格 |
Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
|
| IXTT10P60 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTT10P60 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
|
| IXTT110N10L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
