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IXTT140N075L2HV

更新时间： 2024-09-15 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
7页	284K
描述
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应

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IXTT140N075L2HV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.45

IXTT140N075L2HV 数据手册

Preliminary Technical Information

LinearL2^TMPower

MOSFET w/Extended

FBSOA

V_DSS

I_D25

= 75V

= 140A

IXTT140N075L2HV

IXTH140N075L2

R_DS(on)< 11m

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268HV (IXTT)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_DGR

TO-247 (IXTH)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

140

500

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

= Drain

I_A

E_AS

T_C= 25C

140

1.5

G = Gate

S = Source

P_D

T_C= 25C

540

Tab = Drain

T_J

-55...+150

150



C

T_JM

T_stg

-55...+150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

^Designed for Linear Operation

^International Standard Packages

^AvalancheRated

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in

Weight

TO-268HV

TO-247

^Guaranteed FBSOA at 75C

Advantages

 Easy to Mount

 Space Savings

 High Power Density

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

^Solid State Circuit Breakers

^Soft Start Controls

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^Linear Amplifiers

2.0

4.5

^Programmable Loads

^Current Regulators

100 nA

A

I_DSS

T_J= 125C

25 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

11 m

DS100774A(5/17)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTT140P10T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT16N10D2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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IXTT16N20D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTT16N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
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