5秒后页面跳转

Datasheet > IXTT11P50

IXTT11P50 PDF预览

IXTT11P50

更新时间： 2023-12-06 20:13:07

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		转换器
页数	文件大小	规格书
6页	155K
描述
P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-247和可表面贴装的TO-268封装。这些产品是降压转换器以及需要接地的负载的理想选择。它们可与对等的N

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTT11P50 数据手册

浏览型号IXTT11P50的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IXTT11P50的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IXTT11P50的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IXTT11P50的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IXTT11P50的Datasheet PDF文件第6页

V_DSS= - 500V

I_D25= - 11A

Power MOSFETs

IXTH11P50

IXTT11P50

R_DS(on)

≤

750mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXTT)

G

S

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 500

- 500

V

V

TO-247 (IXTH)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

- 11

- 44

A

A

G

D

S

D (Tab)

I_A

T_C= 25°C

T_C= 25°C

- 11

1

A

J

E_AS

G = Gate

D

= Drain

S = Source

Tab = Drain

P_D

T_C= 25°C

300

W

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

°C

°C

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

°C

Features

z

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

International Standard Packages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMProcess

Rugged Polysilicon Gate Cell Structure

Avalanche Rated

z

z

z

z

Weight

TO-268

TO-247

4

6

g

g

Low Package Inductance

- Easy to Drive and to Protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Advantages

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

BV_DSSTemperature Coefficient

- 500

V

%/K

z

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

0.09

z

z

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

- 3.0

- 5.0

V

V_GS(th)Temperature Coefficient

- 0.25

%/K

I_GSS

I_DSS

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

±100 nA

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

- 200 μA

T_J= 125°C

-1 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= - 5.5A, Note 1

R_DS(on)Temperature Coefficient

750 mΩ

0.92 %/K

DS94535L(01/13)

© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

12 3 4 5 6

下载PDF

与IXTT11P50相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTT120N15P	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M	获取价格
IXTT12N140	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1400V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
IXTT12N150	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXTT12N150HV	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXTT12N150HV	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXTT12N150HV-TRL	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格

与IXTT11P50相关文章

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证