生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.7 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 3000 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 110 A | 最大漏极电流 (ID): | 110 A |
最大漏源导通电阻: | 0.018 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-268AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 600 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 300 A | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTT110N10P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode | |
IXTT110N10P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTT11P50 | IXYS |
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Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTT11P50 | LITTELFUSE |
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P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V,并采用业内流行的TO-2 | |
IXTT120N15P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTT12N140 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1400V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IXTT12N150 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT12N150HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT12N150HV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT12N150HV-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |