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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 110 A | 最大漏极电流 (ID)： | 110 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 600 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTT110N10P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTT110N10P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTT11P50 | IXYS |
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Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTT11P50 | LITTELFUSE |
获取价格 |
P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2 |
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| IXTT120N15P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTT12N140 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1400V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXTT12N150 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT12N150HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT12N150HV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT12N150HV-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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