5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Lifetime Buy |
| 零件包装代码： | TO-268AA | 包装说明： | PLASTIC, TO-268, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 750 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 890 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTT12N150HV | IXYS |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTT12N150 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTT12N150HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTT12N150HV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTT12N150HV-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTT140N075L2HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
|
| IXTT140N10P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT⑩ Power MOSFET |
|
| IXTT140N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
|
| IXTT140P10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTT16N10D2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTT16N20D2 | IXYS |
获取价格 |
Depletion Mode MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
