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IXTT16N10D2

更新时间： 2024-11-05 20:08:27

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	196K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTT16N10D2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXTT16N10D2 数据手册

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 100V

I_D(on)> 16A

IXTT16N10D2

IXTH16N10D2

R_DS(on) 64m

N-Channel

TO-268 (IXTT)

D (Tab)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXTH)

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

100

V_DGX

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

D = Drain

P_D

T_C= 25C

830

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +175

175

- 55 ... +175

C

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

TO-268

TO-247

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Advantages

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250A

V_DS= 25V, I_D= 4mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

100

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

- 2.0

- 4.5

100 nA

A

I_DSX(off)

Applications

T_J= 150C

250  A

64 m

• Audio Amplifiers

• Start-up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 8A, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

DS100258D(7/17)

12 3 4 5 6

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