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IXTT1N100

更新时间： 2024-01-15 20:32:08

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High Voltage MOSFET

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IXTT1N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.5 A	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	11 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT1N100 数据手册

Advance Technical Information

V_DSS

I_D25

= 1000 V

= 1.5 A

IXTH 1N100

IXTT 1N100

High Voltage MOSFET

R_DS(on)= 11 Ω

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheEnergyRated

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

1.5

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-268 Case Style

I_AR

1.5

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

200

(TAB)

dv/dt

≤ I , di/dt ≤ 100 A/µs, V ≤ V

V/ns

DSS

≤ 150°C, R = 18 Ω

P_D

T_C= 25°C

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-268

TO-247

International standard packages

High voltage, Low R_{DS (on)}HDMOS^TM

process

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Rugged polysilicon gate cell structure

Fast switching times

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min. typ. max.

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 25 µA

1000

2.5

Flyback inverters

V_GS(th)

4.5

DC choppers

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

High frequency matching

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

500 µA

Advantages

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 1.0A

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

High power density

98886 (1/2)

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