Datasheet > IXTT1N100

IXTT1N100

更新时间： 2024-11-05 03:13:39

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
2页	77K
描述
High Voltage MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTT1N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.5 A	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	11 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT1N100 数据手册

Advance Technical Information

V_DSS

I_D25

= 1000 V

= 1.5 A

IXTH 1N100

IXTT 1N100

High Voltage MOSFET

R_DS(on)= 11 Ω

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheEnergyRated

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

1.5

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-268 Case Style

I_AR

1.5

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

200

(TAB)

dv/dt

≤ I , di/dt ≤ 100 A/µs, V ≤ V

V/ns

DSS

≤ 150°C, R = 18 Ω

P_D

T_C= 25°C

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-268

TO-247

International standard packages

High voltage, Low R_{DS (on)}HDMOS^TM

process

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Rugged polysilicon gate cell structure

Fast switching times

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min. typ. max.

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 25 µA

1000

2.5

Flyback inverters

V_GS(th)

4.5

DC choppers

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

High frequency matching

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

500 µA

Advantages

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 1.0A

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

High power density

98886 (1/2)

中文翻译

下载PDF

IXTT1N100 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH1N100	IXYS	类似代替	High Voltage MOSFET
IXTY1R4N100P	IXYS	功能相似	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP1N100	IXYS	功能相似	High Voltage MOSFET

与IXTT1N100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT1N250HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N250HV-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT1N300P3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXTT1N300P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTT1N450HV	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFET
IXTT1N450HV	LITTELFUSE	获取价格	超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高
IXTT20N50D	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT20N50D	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT20P50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT20P50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与IXTT1N100相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTT1N100

IXTT1N100 技术参数

IXTT1N100 数据手册

IXTT1N100 替代型号

与IXTT1N100相关器件

与IXTT1N100相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTT1N100

IXTT1N100 技术参数

IXTT1N100 数据手册

IXTT1N100 替代型号

与IXTT1N100相关器件

与IXTT1N100相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？