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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220AB, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 8.47 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.5 A | 最大漏源导通电阻： | 11 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 54 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTA1N100 | IXYS |
完全替代  |
High Voltage MOSFET |
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| IXTP1R4N100P | IXYS |
类似代替 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
|
| IRFZ14PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP1N100P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IXTP1N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IXTP1N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1200V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IXTP1N120P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1200V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IXTP1N80 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage MOSFET |
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| IXTP1N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 800V, 14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| IXTP1R4N100P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTP1R4N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP1R4N120P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1200V, 13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTP1R4N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1200V, 13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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