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IXTT20N50D

更新时间： 2024-11-21 20:02:31

品牌	Logo	应用领域
IXYS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	156K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, PLASTIC, TO-268, 3 PIN

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IXTT20N50D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	PLASTIC, TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.73
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.33 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	400 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTT20N50D 数据手册

V_DSS

I_D25

= 500 V

20 A

High Voltage

MOSFET

N-Channel, Depletion Mode

IXTH 20N50D

IXTT 20N50D

R_DS(on)= 0.33 Ω

PreliminaryDataSheet

TO-247(IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSX

V_DGX

V_GS

V_GSM

I_D25

I_DM

T_J= 25°C to 150°C

Continuous

500

± 30

(TAB)

Transient

± 40

T_C= 25°C

TO-268 (IXTT)

T_C= 25°C; pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

P_D

400

°C

T_J

-55 ... + 150

150

D (TAB)

T_JM

T_stg

-55 ... + 150

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 seconds

Plastic case for 10 seconds

Mounting torque

300

°C

T_ISOL

M_d

1.13/10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

Normally ON Mode

International standard packages

Molding epoxies meet UL94 V-0

flammability classification

Symbol

V_DSX

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

Applications

V_GS= -10 V, I_D= 250 mA

500

Level shifting

V_GS(off)

I_GSS

V_DS= 25 V, I_D= 250 mA

V_GS= ± 30 V_DC, V_DS= 0

-1.5

-3.5

Triggers

Solid State Relays

± 100

Current Regulators

I_DSX(off)

V_DS= V_DSS

V_GS= -10 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

500

μA

Activeload

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 10 V, I_D= 10 A

V_GS= 0 V, V_DS= 25 V

Note 1

0.33

1.5

99192(01/06)

12 3 4 5

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IXTT20N50D 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH20N50D	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IXTT20N50D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT20P50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT20P50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTT21N50Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT21N50Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT22N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT240N15X4HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT24N50Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT24N50Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT24P20	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTT24P20	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2

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