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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-268AA | 包装说明： | PLASTIC, TO-268, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 960 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 360 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 360 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0024 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-268AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 935 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 900 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTH360N055T2 | IXYS |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 360A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTT36N50P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTT36N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTT38N30L2HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTT3N200P3HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路 |
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| IXTT40N50L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT40N50L2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT40N50L2-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT440N04T4HV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IXTT440N04T4HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT440N055T2 | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |
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