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IXTT20P50P

更新时间： 2024-11-05 21:08:59

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	274K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTT20P50P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	1.78	其他特性：	AVALANCE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.45 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	460 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTT20P50P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 500V

I_D25= - 20A

IXTT20P50P

IXTH20P50P

R_DS(on)



450m

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXTT)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXTH)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

- 500

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

- 20

- 60

D (Tab)

I_A

T_C= 25C

- 20

2.5

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

460

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

Features

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

^Rugged PolarP^TMProcess

^Low Package Inductance

^Fast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-247

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

- 500

- 2.0

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250 A

V_DS= V_GS, I_D= - 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



- 4.5

High-Side Switches

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment



100 nA



I_DSS

- 25 A



T_J= 125C

- 200 A

Current Regulators

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

450 m

DS99984C(11/16)

12 3 4 5 6

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与IXTT20P50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT21N50Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT21N50Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT22N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT240N15X4HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT24N50Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT24N50Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT24P20	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTT24P20	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
IXTT26N50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT26N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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