是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-268AA |
包装说明: | PLASTIC, TO-268, 3 PIN | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.76 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 1500 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 24 A |
最大漏源导通电阻: | 0.24 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-268AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 96 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SFF24N50/3 | SSDI |
功能相似 |
24 AMP / 500 Volts 0.2 ohm N-Channel Power MOSFET | |
IXFT24N50Q | IXYS |
功能相似 |
HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFT24N50 | IXYS |
功能相似 |
HiPerFET Power MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTT24P20 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IXTT24P20 | LITTELFUSE |
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P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V,并采用业内流行的TO-2 | |
IXTT26N50P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTT26N50P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTT26N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTT26N60P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTT28N50Q | INFINEON |
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Power MOSFETs Q-Class | |
IXTT2N170D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTT30N50L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力,这是 | |
IXTT30N50L2 | IXYS |
获取价格 |
Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode |