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IXFT24N50Q

更新时间： 2024-01-15 18:45:16

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4页	135K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFT24N50Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.82
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	24 A
最大漏源导通电阻：	0.23 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFT24N50Q 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

Power MOSFETs

IXFH/IXFT 24N50Q

IXFH/IXFT 26N50Q

500 V

24 A

26 A

0.23 Ω

0.20 Ω

Q-Class

t ≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, LowQ_g,Highdv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

24N50

104

26N50

24N50

26N50

24N50

26N50

T_C= 25°C, Note 1

T_C= 25°C

TO-268 (D3) (IXFT) Case Style

E_AR

T_C= 25°C

1.5

(TAB)

E_AS

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

V/ns

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

Gate,D

Source,TAB

Drain,

Drain

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

^lIXYS advanced low Q_gprocess

^lInternationalstandardpackages

^lLow R_{DS (on)}

M_d

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

^lUnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

^lFast switching

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

^lMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

500

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

2.5

4.5

Advantages

I_GSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

Easy to mount

Space savings

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Note 2

24N50Q

26N50Q

0.23

0.20

Ω

98512G (5/01)

12 3 4

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