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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 212K | |
描述 | ||
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能(Tc=@25oC)。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择,这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.75 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFT32N100XHV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFT32N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFT32N50Q | IXYS |
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HiPerFET⑩ Power MOSFETs Q-Class | |
IXFT32N50Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFT340N075T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiPerFET Power MOSFET | |
IXFT36N50P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFT36N50P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFT36N55Q | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXFT36N55Q | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXFT36N60P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET |