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IXFT30N50Q3

更新时间： 2024-02-21 05:25:21
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 132K
描述
HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

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IXFT30N50Q3 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
Base Number Matches：1

IXFT30N50Q3 数据手册

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Advance Technical Information  
HiperFETTM  
Power MOSFETs  
Q3-Class  
VDSS = 500V  
ID25 = 30A  
RDS(on) ≤ 200mΩ  
IXFT30N50Q3  
IXFH30N50Q3  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-268 (IXFT)  
Fast Intrinsic Rectifier  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
500  
500  
V
V
TO-247 (IXFH)  
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
30  
90  
A
A
G
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
D
D (Tab)  
S
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
30  
A
J
EAS  
1.5  
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source  
Tab = Drain  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C  
TC = 25°C  
50  
V/ns  
W
690  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
z
Low Intrinsic Gate Resistance  
International Standard Packages  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z
z
z
z
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Low RDS(on) and QG  
Weight  
TO-268  
TO-247  
4.0  
6.0  
g
g
Advantages  
z
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
500  
3.5  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 4mA  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS= 0V  
V
V
Applications  
6.5  
z
DC-DC Converters  
Battery Chargers  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
z
±100 nA  
z
IDSS  
10 μA  
Power Supplies  
DC Choppers  
Temperature and Lighting Controls  
TJ = 125°C  
500 μA  
z
z
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
200 mΩ  
DS100338(05/11)  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345

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IXFT30N50Q3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXFH30N50Q3 IXYS

完全替代

 HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class
IXTT36N50P IXYS

类似代替

 N-Channel Enhancement Mode
IXTH36N50P IXYS

功能相似

 PolarHV Power MOSFET

与IXFT30N50Q3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFT30N60P IXYS

获取价格

 		PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFT30N60P LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFT30N60Q IXYS

获取价格

 		HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT30N60X LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFT30N85XHV IXYS

获取价格

 		MOSFET N-CH 850V 30A TO268
IXFT30N85XHV LITTELFUSE

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 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
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 		Power Field-Effect Transistor,
IXFT32N50 IXYS

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 		HiPerFET Power MOSFETs

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