5秒后页面跳转

Datasheet > IXFT36N50P

IXFT36N50P PDF预览

IXFT36N50P

更新时间： 2023-12-06 20:13:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
7页	238K
描述
功能与特色: 优点: 应用:

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFT36N50P 数据手册

浏览型号IXFT36N50P的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IXFT36N50P的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IXFT36N50P的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IXFT36N50P的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IXFT36N50P的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IXFT36N50P的Datasheet PDF文件第7页

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 500V

I_D25= 36A

IXFV36N50PS

IXFV36N50P

IXFH36N50P

IXFT36N50P

R_DS(on)≤ 170mΩ

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

PLUS220SMD (IXFV...S)

Fast Intrinsic Diode

G

S

D (Tab)

PLUS220 (IXFV)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

500

V

V

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

V

V

G

D

S

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

36

90

A

A

TO-268 (IXFT)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

T_C= 25°C

36

1.5

A

J

G

S

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

10

V/ns

W

D (Tab)

540

TO-247 (IXFH)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

°C

°C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

°C

G

D

S

D (Tab)

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-247)

Mounting Force (PLUS220)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

G = Gate

D

= Drain

S = Source

Tab = Drain

Weight

PLUS220

TO-268

TO-247

4.0

4.0

6.0

g

g

g

Features

z

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)and Q_G

z

z

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

V

V

5.0

Advantages

z

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

±100 nA

z

I_DSS

25 μA

z

T_J= 125°C

500 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

170 mΩ

© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

DS99364F(07/11)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXFT36N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT36N55Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFT36N55Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFT36N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT36N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT400N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFT400N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFT40N30Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT40N30Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFT40N50Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT40N85XHV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor

与IXFT36N50P相关文章

您还可以找

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证