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IXFT32N50Q

更新时间： 2024-04-02 21:14:48

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力特 - LITTELFUSE		/
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HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 32N50Q

IXFT 32N50Q

V_DSSI_D25

R_DS(on)

500 V 32 A 0.16 Ω

500 V 32 A 0.16 Ω

t_rr≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, LowQ_g,Highdv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T

= 25°C to 150°C

500

500

V

V

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

20

30

V

V

V_GSM

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T

= 25°C

32

128

32

A

A

A

T^C= 25°C; pulse width limited by T_JM

T^C_C= 25°C

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

45

mJ

mJ

1500

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

,

5

V/ns

G

S

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

416

W

T_J

-55 ... + 150

150

°C

°C

°C

G = Gate

D

= Drain

T_JM

T_stg

S = Source

TAB = Drain

-55 ... + 150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

6

4

g

g

Features

z

IXYS advanced low Q_gprocess

z

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

z

z

z

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

International standard packages

Low R_{DS (on)}

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

V_GS= 0 V, I_D= 250 uA

500

V

z

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

2.5

4.5

V

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V

T = 25°C

100

1

µA

V_GS= 0^DV^SS

T_J^J= 125°C

mA

z

Easy to mount

Space savings

z

R_DS(on)

V

= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

0.16

Ω

N^Go^Ste 1

z

High power density

© 2004 IXYS All rights reserved

DS98596E(02/04)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT340N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiPerFET Power MOSFET
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IXFT36N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT36N55Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFT36N55Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFT36N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
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