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IXFH30N50Q3

更新时间： 2024-11-21 11:13:59

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描述
HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

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IXFH30N50Q3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.46	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	690 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	90 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH30N50Q3 数据手册

Advance Technical Information

HiperFET^TM

Power MOSFETs

Q3-Class

V_DSS= 500V

I_D25= 30A

R_DS(on)≤ 200mΩ

IXFT30N50Q3

IXFH30N50Q3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXFT)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

TO-247 (IXFH)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

I_A

T_C= 25°C

E_AS

1.5

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

690

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

Low Intrinsic Gate Resistance

International Standard Packages

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Low R_DS(on)and Q_G

Weight

TO-268

TO-247

4.0

6.0

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

6.5

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

±100 nA

I_DSS

10 μA

Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

T_J= 125°C

500 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

200 mΩ

DS100338(05/11)

12 3 4 5

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IXFH30N50Q3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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IXTH36N50P	IXYS	类似代替	PolarHV Power MOSFET
IXFH36N50P	IXYS	类似代替	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH30N50S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-247VAR
IXFH30N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFH30N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH30N60Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH30N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH30N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH30N85X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH30N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFH320N10T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFH320N10T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

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