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IXFH36N50P

更新时间： 2024-02-13 11:34:10

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5页	337K
描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFH36N50P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.17 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	540 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	90 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH36N50P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

IXFH 36N50P

IXFT 36N50P

IXFV 36N50P

IXFV 36N50PS

V_DSS= 500 V

I_D25= 36 A

R_DS(on)≤ 170 mΩ

t_rr≤ 200 ms

Fast Intrinsic Diode

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

500

D (TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.5

D (TAB)

PLUS220 (IXFV)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 3 Ω

V/ns

T_C=25° C

540

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C PLUS220SMD (IXFV...S)

°C

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

PLUS220

D (TAB)

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

3.0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

Advantages

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

170 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99364E(03/06)

12 3 4 5

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IXFH36N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFT36N50P	IXYS	完全替代	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXTH36N50P	IXYS	类似代替	PolarHV Power MOSFET
IXFH32N50	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH36N55Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFH36N55Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 550V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFH36N55Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH36N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH36N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH36N60X3	LITTELFUSE	获取价格	600V X3-Class超级结MOSFET IXFH36N60X3的标称额定电流为36A
IXFH400N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFH400N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFH40N30	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH40N30	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

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