生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.76 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 42 A | 最大漏极电流 (ID): | 42 A |
最大漏源导通电阻: | 0.06 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-264AA | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 168 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IXFH42N50P2 | IXYS | PolarP2 HiperFET Power MOSFET |
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IXFH42N50P2 | LITTELFUSE | 功能与特色: 优点: 应用: |
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IXFH42N60P3 | IXYS | Polar3 HiperFET Power MOSFET |
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IXFH42N60P3 | LITTELFUSE | PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
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IXFH42N65X2A | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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IXFH44N50P | IXYS | PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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