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IXFH50N60P3

更新时间： 2024-11-18 11:13:59

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5页	166K
描述
Polar3 HiperFET Power MOSFET

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IXFH50N60P3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	3.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.145 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1040 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	125 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH50N60P3 数据手册

Advance Technical Information

Polar3^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 50A

R_DS(on)≤ 145mΩ

IXFT50N60P3

IXFQ50N60P3

IXFH50N60P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXFT)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

TO-3P (IXFQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

600

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

TO-247 (IXFH)

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

125

I_A

T_C= 25°C

E_AS

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

D (Tab)

1040

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

Features

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-247 & TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zLow R_DS(ON)and Q_G

Weight

TO-268

TO-3P

TO-247

4.0

5.5

6.0

^zLow Package Inductance

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

±100 nA

25 μA

I_DSS

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

T_J= 125°C

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

145 mΩ

DS100310(03/11)

12 3 4 5

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IXFH50N60P3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFX48N60P	IXYS	类似代替	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic
IXFK48N60P	IXYS	功能相似	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic

与IXFH50N60P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH50N60X	LITTELFUSE	获取价格	暂无描述
IXFH50N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH50N80XA	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH50N85X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFH52N30	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 52A I(D) \| TO-247AD
IXFH52N30P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET HiPerFET
IXFH52N30P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH52N30Q	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacita
IXFH52N30Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH52N50P2	IXYS	获取价格	PolarP2 HiperFET Power MOSFET

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