IXFH52N30Q

更新时间： 2024-11-17 22:47:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅极
页数	文件大小	规格书
2页	73K
描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFH52N30Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.5
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	52 A
最大漏极电流 (ID)：	52 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	208 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH52N30Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 52N30Q

IXFK 52N30Q

IXFT 52N30Q

V_DSS= 300 V

I_D25= 52 A

R_DS(on)= 60 mW

t_rr

£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

Low Gate Charge and Capacitances

Preliminary data

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

300

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, Chip capability

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

208

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

TO-264AA(IXFK)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mountingtorque

TO-247

TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

0.9/6 Nm/lb.in.

D (TAB)

Weight

Symbol

TO-247

TO-264

TO-268

G = Gate

S = Source

TAB = Drain

Features

• Low gate charge

TestConditions

CharacteristicValues

• Internationalstandardpackages

• EpoxymeetUL94V-0,flammability

classification

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Avalanche energy and current rated

• Fast intrinsic Rectifier

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

300

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

50 mA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

60 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98522B(7/00)

1 - 2

中文翻译

下载PDF

IXFH52N30Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STD18N55M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 550 V, 0.18 Î©, 13 A, MDmeshâ¢ V P
STW11NK100Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 1000V - 1.1W - 8.3A TO-247 Zener-Pr
STW20NK50Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247

与IXFH52N30Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH52N50P2	IXYS	获取价格	PolarP2 HiperFET Power MOSFET
IXFH52N50P2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH56N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFH58N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH58N20	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH58N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH58N20Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH58N20S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 58A I(D) \| TO-247VAR
IXFH5N100	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH5N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET

与IXFH52N30Q相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFH52N30Q

IXFH52N30Q 技术参数

IXFH52N30Q 数据手册

IXFH52N30Q 替代型号

与IXFH52N30Q相关器件

与IXFH52N30Q相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFH52N30Q

IXFH52N30Q 技术参数

IXFH52N30Q 数据手册

IXFH52N30Q 替代型号

与IXFH52N30Q相关器件

与IXFH52N30Q相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？