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IXFH52N50P2

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

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描述
PolarP2 HiperFET Power MOSFET

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IXFH52N50P2 数据手册

Advance Technical Information

PolarP2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 52A

R_DS(on)≤ 120mΩ

IXFH52N50P2

IXFT52N50P2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXFH)

Fast Intrinsic Diode

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

TO-268 (IXFT)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

D (Tab)

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

150

I_A

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

E_AS

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

960

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

T_JM

T_stg

-55 ... +150

^zLow R_DS(ON)and Q_G

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zLow Package Inductance

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

TO-247

TO-268

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

2.5

Typ.

Max.

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zDC-DC Converters

4.5

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

±100 nA

I_DSS

15 μA

T_J= 125°C

1.5 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

120 mΩ

DS100256(03/10)

12 3 4

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IXFH52N50P2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFT52N50P2	IXYS	完全替代	PolarP2 HiperFET Power MOSFET
IXTQ480P2	LITTELFUSE	功能相似	Power Field-Effect Transistor,

与IXFH52N50P2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH56N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFH58N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH58N20	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH58N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH58N20Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH58N20S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 58A I(D) \| TO-247VAR
IXFH5N100	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH5N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFH5N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH60N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs