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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | TO-247, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.67 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 180 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFPG50PBF | VISHAY |
功能相似  |
Power MOSFET |
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| STW11NK100Z | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 1000V - 1.1W - 8.3A TO-247 Zener-Pr |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH6N100F | IXYS |
获取价格 |
Power MOSFETs |
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| IXFH6N100Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFH6N100Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH6N120 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFH6N120 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH6N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFH6N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH6N90 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH70N15 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs |
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| IXFH70N20Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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