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IXFH6N120

更新时间： 2024-11-22 14:56:55

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFH6N120 数据手册

V_DSS= 1200 V

I_D(cont)6 A

R_DS(on)= 2.6 Ω

t_rr≤ 300 ns

IXFH 6N120

HighVoltage

HiPerFET Power

MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

PreliminaryDataSheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

1200

TO-247AD(IXTH)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

T_C= 25°C

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

500

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

300

^zInternational standard packages

^zLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

^zRugged polysilicon gate cell structure

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247AD

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

1200

3.0

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D=2.5 mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

1500

µA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

2.6

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99335(02/05)

12 3 4 5

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