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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH70N15 | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs |
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| IXFH70N20Q3 | LITTELFUSE |
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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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| IXFH70N30Q3 | IXYS |
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HiperFET Power MOSFETs Q3-Class |
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| IXFH70N30Q3 | LITTELFUSE |
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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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| IXFH72N30X3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH72N30X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
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| IXFH74N20 | IXYS |
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HIPERFET POWER MOSFETs |
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| IXFH74N20P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFH74N20P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH75N10 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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