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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 664K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH7N90Q | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH7N90Q_02 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH80N08 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXFH80N085 | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs | |
IXFH80N10 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFH80N10Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH80N10Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH80N15Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH80N20Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH80N20Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |