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IXFH80N20Q

更新时间： 2024-11-04 22:47:59

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2页	73K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFH80N20Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	360 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH80N20Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 80N20Q

IXFK 80N20Q

IXFT 80N20Q

V_DSS= 200 V

I_D25= 80 A

R_DS(on)= 28 mW

t_rr

£ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q_g

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

200

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

320

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

TO-264AA(IXFK)

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

G = Gate

S = Source

TAB = Drain

M_d

Mountingtorque

TO-247

TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

0.9/6 Nm/lb.in.

Weight

Symbol

TO-247

TO-264

TO-268

Features

• Low gate charge

TestConditions

CharacteristicValues

• Internationalstandardpackages

• EpoxymeetUL94V-0,flammability

classification

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Avalanche energy and current rated

• Fast intrinsic Rectifier

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 uA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

200

2.0

V_GS(th)

4.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

25 mA

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

28 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98605A (6/99)

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IXFH80N20Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STD60NF06T4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 60V - 0.014ohm - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET
STD18N55M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 550 V, 0.18 Î©, 13 A, MDmeshâ¢ V P
STW75NF20	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 200V - 0.028ヘ - 75A - D2PAK - TO-22

与IXFH80N20Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH80N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH80N25X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH80N60X2A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH80N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH80N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFH80N65X2-4	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH80N65X2-4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH86N30T	IXYS	获取价格	Trench HiperFET Power MOSFET
IXFH86N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFH88N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs

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