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IXFH80N20Q

更新时间： 2024-01-22 18:18:44

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFH80N20Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 80N20Q

IXFK 80N20Q

IXFT 80N20Q

V_DSS= 200 V

I_D25= 80 A

R_DS(on)= 28 mW

t_rr

£ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q_g

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

200

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

320

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

TO-264AA(IXFK)

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

G = Gate

S = Source

TAB = Drain

M_d

Mountingtorque

TO-247

TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

0.9/6 Nm/lb.in.

Weight

Symbol

TO-247

TO-264

TO-268

Features

• Low gate charge

TestConditions

CharacteristicValues

• Internationalstandardpackages

• EpoxymeetUL94V-0,flammability

classification

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Avalanche energy and current rated

• Fast intrinsic Rectifier

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 uA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

200

2.0

V_GS(th)

4.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

25 mA

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

28 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98605A (6/99)

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