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IXFH90N65X3

更新时间： 2024-11-19 14:55:11

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力特 - LITTELFUSE		栅二极管栅极
页数	文件大小	规格书
6页	1138K
描述
这款650V X3级超级结MOSFET采用快速体二极管。这些产品的额定标称电流为90A，采用TO-247封装。这些功率MOSFET具有显著降低的通道电阻RDS(on)和栅极电荷Qg，从而改善了

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IXFH90N65X3 数据手册

X3-Class

V_DSS= 650V

I_D25= 90A

R_DS(on) 33m

IXFH90N65X3

HiPerFET^TM

PowerMOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247

(IXFH)

D (Tab)

D = Drain

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

650

G = Gate

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

S = Source

Tab = Drain

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

150

I_A

T_C= 25C

Features

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns



International Standard Package

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



960

T_J

-55 ... +150

150

C

Low Package Inductance

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Advantages

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

°C



High Power Density



Easy to Mount

Space Savings

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in



Weight

Applications



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650



Robotics and Servo Controls

3.2

5.2

100 nA

I_DSS

50 A

T_J= 125C

6 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

33 m

DS101020B(9/21)

12 3 4 5 6

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