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IXFH86N30T

更新时间： 2024-01-28 02:54:39

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描述
Trench HiperFET Power MOSFET

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IXFH86N30T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.51	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	86 A	最大漏极电流 (ID)：	86 A
最大漏源导通电阻：	0.043 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	830 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	190 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH86N30T 数据手册

Advance Technical Information

Trench^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 86A

R_DS(on)≤ 43mΩ

IXFH86N30T

IXFT86N30T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-247 (IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

300

D (Tab)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

190

I_A

E_AS

T_C= 25°C

D (Tab)

P_D

T_C= 25°C

830

dV/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

-55 to +150

+150

°C

T_JM

T_stg

-55 to +150

Features

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Rectifier

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

6.0

4.0

Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

300

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

±200 nA

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

I_DSS

50 μA

1.75 mA

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

R_DS(on)

43 mΩ

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

DS100208(11/09)

12 3 4 5 6

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IXFH86N30T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ80N28T	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 280V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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IXFH90N20X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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