Datasheet > IXFH86N30T

IXFH86N30T

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
6页	175K
描述
Trench HiperFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFH86N30T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.51	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	86 A	最大漏极电流 (ID)：	86 A
最大漏源导通电阻：	0.043 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	830 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	190 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH86N30T 数据手册

Advance Technical Information

Trench^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 86A

R_DS(on)≤ 43mΩ

IXFH86N30T

IXFT86N30T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-247 (IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

300

D (Tab)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

190

I_A

E_AS

T_C= 25°C

D (Tab)

P_D

T_C= 25°C

830

dV/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

-55 to +150

+150

°C

T_JM

T_stg

-55 to +150

Features

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Rectifier

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

6.0

4.0

Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

300

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

±200 nA

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

I_DSS

50 μA

1.75 mA

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

R_DS(on)

43 mΩ

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

DS100208(11/09)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXFH86N30T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ80N28T	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 280V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IXFH86N30T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH88N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH88N30P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFH88N30P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH8N65	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH8N80	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs - N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
IXFH8N80S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-247SMD
IXFH90N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS
IXFH90N20X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH90N20X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH90N65X3	LITTELFUSE	获取价格	这款650V X3级超级结MOSFET采用快速体二极管。这些产品的额定标称电流为90A，

与IXFH86N30T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFH86N30T

IXFH86N30T 技术参数

IXFH86N30T 数据手册

IXFH86N30T 替代型号

与IXFH86N30T相关器件

与IXFH86N30T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFH86N30T

IXFH86N30T 技术参数

IXFH86N30T 数据手册

IXFH86N30T 替代型号

与IXFH86N30T相关器件

与IXFH86N30T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？