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IXFH94N30T

更新时间： 2024-09-28 14:56:39

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
7页	203K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXFH94N30T 数据手册

Preliminary Technical Information

Trench^TMHiperFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 300V

I_D25= 94A

R_DS(on)≤ 36mΩ

IXFT94N30T

IXFH94N30T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-268 (IXFT)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

300

V_DGR

TO-247 (IXFH)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

235

D (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

500

G = Gate

S = Source

= Drain

P_D

T_C= 25°C

890

Tab = Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

V/ns

T_J

-55 to +150

+150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 to +150

International Standard Packages

Avalanche Rated

High Current Handling Capability

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-247

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

300

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

±200 nA

50 μA

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

I_DSS

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

Power Supplies

DC Choppers

AC Motor Drives

Uninterruptible Power Supplies

R_DS(on)

36 mΩ

High Speed Power Switching

Applications

DS100383A(11/11)

12 3 4 5 6 7

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